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文献
J-GLOBAL ID：201702260462549532
整理番号：17A0998012
Ar/CF_4とHe/CF_4条件下での表面放電プラズマを用いたSiのエッチング特性【Powered by NICT】
Etching characteristics of Si using surface discharge plasma under Ar/CF4 and He/CF4 conditions
Hamada Toshiyuki
(National Institute of Technology, Ube College, 2-14-1 Tokiwadai, Ube City, Yamaguchi Prefecture 755-8555, Japan)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 66 ページ： 212-214 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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