文献
J-GLOBAL ID:201702260720814416
整理番号:17A0302106
欠陥を有するReS2単分子層における歪に誘起された磁性【Powered by NICT】
Strain-induced magnetism in ReS2 monolayer with defects
著者 (2件):
Zhang Xiaoou
(Department of Electrical Engineering and Photoelectric Technology, Zijin College of Nanjing University of Technology)
,
Li Qingfang
(Department of Physics, Nanjing University of Information Science & Technology)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
11
ページ:
117103_01-117103_04
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)