文献
J-GLOBAL ID:201702260891354476
整理番号:17A0085343
SiGe HBTのベース抵抗を測定する単一トランジスタに基づく方法:種々の技術のレビューと評価
Single Transistor-Based Methods for Determining the Base Resistance in SiGe HBTs: Review and Evaluation Across Different Technologies
著者 (4件):
Pawlak Andreas
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
,
Krause Julia
(Infineon Technologies AG, Neubiberg, Germany)
,
Wittkopf Holger
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
,
Schroter Michael
(Chair for Electron Devices and Integrated Circuits, Technische Universitaet Dresden, Dresden, Germany)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
63
号:
12
ページ:
4591-4602
発行年:
2016年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)