文献
J-GLOBAL ID:201702260927430743
整理番号:17A1727319
三重トップゲートグラフェントンネル電界効果トランジスタのサブ0.5Vバイアス電圧動作【Powered by NICT】
Sub 0.5 V bias voltage operation of a triple-topgate graphene tunnel field effect transistor
著者 (5件):
Suzuki Shunei
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan)
,
Hammam Ahmed M. M.
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan)
,
Schmidt Marek E.
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan)
,
Muruganathan Manoharan
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan)
,
Mizuta Hiroshi
(School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology, 1-1 Asahidai, Nomi, 923-1292, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
SISPAD
ページ:
309-312
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)