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文献
J-GLOBAL ID：201702260943346439
整理番号：17A1961450
四元CIGSターゲットに基づく大結晶粒をもつCu(In,Ga)Se_2(CIGS)薄膜の作製【Powered by NICT】
Fabricating Cu(In,Ga)Se2 (CIGS) thin films with large grains based on the quaternary CIGS targets
Peng Xiao
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhao Ming
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhuang Daming
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Sun Rujun
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Zhang Leng
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Wei Yaowei
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Lv Xunyan
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Wu Yixuan
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
,
Ren Guoan
(School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, China)
資料名：
Vacuum
(Vacuum)
巻： 146 ページ： 282-286 発行年： 2017年
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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