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文献
J-GLOBAL ID：201702261000013910
整理番号：17A0323170
Si(111)上の垂直GaAsナノワイヤの自己触媒分子ビームエピタクシー成長とそれらの光電子特性【Powered by NICT】
Self-catalyzed molecular beam epitaxy growth and their optoelectronic properties of vertical GaAs nanowires on Si(111)
Zhang Lichun
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zhang Lichun
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Geng Xuewen
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zha Guowei
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Zha Guowei
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Xu Jianxing
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Xu Jianxing
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Wei Sihang
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Wei Sihang
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Ma Ben
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Ma Ben
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Chen Zesheng
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Chen Zesheng
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Shang Xiangjun
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Shang Xiangjun
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Ni Haiqiao
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Ni Haiqiao
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
,
Niu Zhichuan
(State Key Laboratory of Superlattices and Microstructures, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, People’s Republic of China)
,
Niu Zhichuan
(Synergetic Innovation Center of Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui 230026, People’s Republic of China)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 52 ページ： 68-74 発行年： 2016年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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