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文献
J-GLOBAL ID：201702261001817747
整理番号：17A1836340
イオン-ゲルゲートを持つグラフェン/シリコンヘテロ構造に基づいた柔軟な垂直電界効果トランジスタ【Powered by NICT】
Flexible vertical field-effect transistor based on graphene/silicon heterostructure with ion-gel gate
Chen Zefeng
(Department of Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, NT, Hong Kong SAR, China)
,
Xu Jianbin
(Department of Electronic Engineering and Materials Science and Technology Research Center, The Chinese University of Hong Kong, Shatin, NT, Hong Kong SAR, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： NANO ページ： 548-549 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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