文献
J-GLOBAL ID:201702261017125536
整理番号:17A1244727
Mgの移動とGaNにおける他の間質性金属ドーパント【Powered by NICT】
Migration of Mg and other interstitial metal dopants in GaN
著者 (2件):
Miceli Giacomo
(Chaire de Simulation a l’Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland)
,
Pasquarello Alfredo
(Chaire de Simulation a l’Echelle Atomique (CSEA), Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland)
資料名:
Physica Status Solidi. Rapid Research Letters
(Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻:
11
号:
7
ページ:
null
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1880A
ISSN:
1862-6254
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)