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J-GLOBAL ID：201702261095042130 整理番号：17A1552989

化学気相蒸着により成長させた単分子層MoS_2におけるトップ及びボトム表面の輸送特性【Powered by NICT】

Transport properties of the top and bottom surfaces in monolayer MoS₂ grown by chemical vapor deposition

著者 (2件)：

Kurabayashi S.

(Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, Tokyo 113-8656, Japan. nagashio@material.t.u-tokyo.ac.jp)

Nagashio K.

資料名：

Nanoscale (Nanoscale)

巻： 9 号： 35 ページ： 13264-13271 発行年： 2017年
JST資料番号： W2323A ISSN： 2040-3364 CODEN： NANOHL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

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