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文献
J-GLOBAL ID：201702261158060161
整理番号：17A1355010
GaN基板上に成長させた非常に薄い高Mgドープp~+GaN(20 nm)/GaN層を用いて作製したジャンクションバリアSchottkyダイオード【Powered by NICT】
Junction-barrier Schottky diodes fabricated with very thin highly Mg-doped p+-GaN(20 nm)/n-GaN layers grown on GaN substrates
Hayashi Kentaro
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
,
Ohta Hiroshi
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
,
Tsuge hirohumi
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
,
Nakamura Tohru
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
,
Mishima Tomoyoshi
(Research Center for Micro-nano Science Technology, Hosei University, Tokyo, JAPAN)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： IMFEDK ページ： 50-51 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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