前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702261171622734
整理番号：17A0852417
多重面内ゲートを有するプロトン伝導体横方向結合酸化物ベーストランジスタの神経形態学的シミュレーション【Powered by NICT】
Neuromorphic Simulation of Proton Conductors Laterally Coupled Oxide-Based Transistors With Multiple in-Plane Gates
Wan Xiang
(School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
,
Yang Yi
(School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
,
He Yongli
(School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
,
Feng Ping
(School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
,
Li Wenjun
(School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
,
Wan Qing
(School of Electronic Science and Engineering, Collaborative Innovation Center of Advanced Microstructures, Nanjing University, Nanjing, China)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 38 号： 4 ページ： 525-528 発行年： 2017年
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。