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文献
J-GLOBAL ID：201702261177901725
整理番号：17A0872340
プラズマ支援反応性蒸着法による導電性AlN薄膜の制御成長
Controlled Growth of Conductive AlN Thin Films by Plasma-Assisted Reactive Evaporation
ALIZADEH M.
(Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
,
GOH B.T.
(Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
,
RAHMAN S.A.
(Univ. Malaya, Kuala Lumpur, MYS)
資料名：
Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science
(Metallurgical and Materials Transactions. A. Physical Metallurgy and Materials Science)
巻： 48 号： 7 ページ： 3461-3469 発行年： 2017年07月
JST資料番号： E0265B ISSN： 1073-5623 CODEN： MTTABN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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