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文献
J-GLOBAL ID:201702261236386055   整理番号:17A1355258

低障壁高さスピネルMgGa_2O_4を用いたエピタキシャル磁気トンネル接合【Powered by NICT】

Epitaxial magnetic tunnel junctions with a low barrier height spinel MgGa2O4
著者 (12件):
Sukegawa H.
(Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)
Kato Y.
(Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
Belmoubarik M.
(Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)
Cheng P.
(Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)
Daibou T.
(Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
Shimomura N.
(Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
Kamiguchi Y.
(Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
Ito J.
(Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
Yoda H.
(Toshiba Corporation, Kawasaki, Japan)
Ohkubo T.
(Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)
Mitani S.
(Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)
Hono K.
(Research Center for Magnetic and Spintronic Materials, National Institute for Materials Science (NIMS), Tsukuba, Japan)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: INTERMAG  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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