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文献
J-GLOBAL ID：201702261395452816
整理番号：17A0591717
SiOxマトリックスに埋め込まれた(非晶質/ナノ結晶)Siの電荷貯蔵能ならびにMIS構造のメモリ性能に及ぼすSiO2/(非晶質/ナノ結晶)Si-SiOx/SiOxNy積層のトンネル層厚の影響
Charge Storage Capabilities of (a/nc) Si Embedded in SiOx Matrix and the Influence of Tunneling Layer Thickness of SiO2/(a/nc)Si-SiOx/SiOxNy Stack on the Memory Performances of MIS Structure
TRINH Thanh Thuy
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
TRINH Thanh Thuy
(HCM International Univ., HCM City, VNM)
,
SHIN Chonghoon
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
NGUYEN Cam Phu Thi
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
JANG Kyungsoo
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
NGUYEN Van Duy
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
LEE Jae Hyeong
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
DAO Vinh Ai
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
,
DAO Vinh Ai
(Ho Chi Minh City Univ. Technol. and Education, VNM)
,
YI Junsin
(Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR)
資料名：
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17 号： 5 ページ： 3210-3216 発行年： 2017年05月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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