前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201702261416095733
整理番号：17A0767028
ナノ結晶Si量子ドットフローティングゲートMOS構造における電子と正孔の充電電流ピークの起源【Powered by NICT】
Origin of Electron and Hole Charging Current Peaks in Nanocrystal-Si Quantum Dot Floating Gate MOS Structure
HUANG Jian
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
,
CHEN Kun-Ji
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
,
FANG Zhong-Hui
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
,
GUO Si-Hua
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
,
WANG Xiang
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
,
DING Hong-Lin
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
,
LI Wei
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
,
HUANG Xin-Fan
(National Laboratory of Solid State Microstructures Department of Physics,Nanjing University)
資料名：
Chinese Physics Letters
(Chinese Physics Letters)
巻： 26 号： 3 ページ： 220-223 発行年： 2009年
JST資料番号： W1191A ISSN： 0256-307X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。