文献
J-GLOBAL ID:201702261493083155
整理番号:17A0544441
非晶質SiO2上に堆積させたBi2Se3トポロジカル絶縁体のab initio研究
An ab initio investigation of Bi2Se3 topological insulator deposited on amorphous SiO2
著者 (4件):
DE OLIVEIRA I S S
(Universidade Federal de Lavras, MG, BRA)
,
SCOPEL W L
(Universidade Federal do Espirito Santo, ES, BRA)
,
SCOPEL W L
(Universidade Federal Fluminense, RJ, BRA)
,
MIWA R H
(Universidade Federal de Uberlandia, MG, BRA)
資料名:
Journal of Physics. Condensed Matter
(Journal of Physics. Condensed Matter)
巻:
29
号:
4
ページ:
045302,1-5
発行年:
2017年02月01日
JST資料番号:
B0914B
ISSN:
0953-8984
CODEN:
JCOMEL
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)