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文献
J-GLOBAL ID：201702261506856866
整理番号：17A1033141
FIBに基づくリソグラフィーを用いたEモードInGaN/AlGaN/GaNH EMTの作製【Powered by NICT】
Fabrication of E-mode InGaN/AlGaN/GaN HEMT using FIB based lithography
Majumdar Shubhankar
(National Institute of Technology, Raipur, India)
,
Sahu Chitrakant
(Malaviya National Institute of Technology, Jaipur, India)
,
Biswas Dhrubes
(Indian Institute of Technology, Kharagpur, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： EDTM ページ： 175-177 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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