文献
J-GLOBAL ID:201702261527539955
整理番号:17A1254719
超薄シリコン層の高温アニーリングに及ぼす二重障壁構造における酸化けい素層の非化学量論性の影響【Powered by NICT】
Effects of non-stoichiometry of silicon oxide layers in double barrier structure on high temperature annealing of ultrathin silicon layer
著者 (2件):
Beck Romuald B.
(Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Poland)
,
Korb Pawel
(Institute of Microelectronics and Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Poland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
168-171
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)