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文献
J-GLOBAL ID：201702261571119549
整理番号：17A0825228
改良されたソフトエラー耐性のための16nm FinFET技術における電荷ステアリングラッチ設計【Powered by NICT】
Charge-Steering Latch Design in 16 nm FinFET Technology for Improved Soft Error Hardness
Narasimham Balaji
(Broadcom Limited, Irvine, CA, USA)
,
Chandrasekharan Karthik
(Broadcom Limited, Irvine, CA, USA)
,
Wang Jung K.
(Broadcom Limited, Irvine, CA, USA)
,
Ni Kai
(Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Bhuva Bharat L.
(Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
,
Schrimpf Ronald D.
(Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64 号： 1 ページ： 353-358 発行年： 2017年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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