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文献
J-GLOBAL ID：201702261613090669
整理番号：17A0633149
高電流密度を処理する電子デバイスのためのn型GaAsに対するTi/Pd/Ag,Pd/Ti/Pd/AgおよびPd/Ge/Ti/Pd/Agコンタクトの比較
Comparison of Ti/Pd/Ag, Pd/Ti/Pd/Ag and Pd/Ge/Ti/Pd/Ag contacts to n-type GaAs for electronic devices handling high current densities
HUO Pengyun
(ETSI de Telecomunicacion, Madrid, ESP)
,
GALIANA Beatriz
(Universidad Carlos III de Madrid, Madrid, ESP)
,
REY-STOLLE Ignacio
(ETSI de Telecomunicacion, Madrid, ESP)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 32 号： 4 ページ： 045006,1-9 発行年： 2017年04月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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