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文献
J-GLOBAL ID：201702261613763987
整理番号：17A0369685
アニーリング温度によるA LD derived HfAlO/Al_2O_3/Siゲートスタックの界面と電気的性質の調節【Powered by NICT】
Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature
Gao J.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China)
,
Gao J.
(School of Sciences, Anhui University of Science and Technology, Huainan 232001, China)
,
He G.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China)
,
Liu M.
(Key Laboratory of Materials Physics, Anhui Key Laboratory of Nanomaterials and Nanostructure, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031, China)
,
Lv J.G.
(Department of Physics and Electronic Engineering, Hefei Normal University, Hefei 230061, China)
,
Sun Z.Q.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China)
,
Zheng C.Y.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China)
,
Jin P.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China)
,
Xiao D.Q.
(School of Physics and Materials Science, Radiation Detection Materials & Devices Lab, Anhui University, Hefei 230601, China)
,
Chen X.S.
(National Laboratory for Infrared Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Institute of Technical Physics, 500 Yutian Road, Shanghai 200083, China)
資料名：
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻： 691 ページ： 504-513 発行年： 2017年
JST資料番号： D0083A ISSN： 0925-8388 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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