文献
J-GLOBAL ID:201702261615063337
整理番号:17A0704559
SiO_2薄膜の原子層蒸着のための効率的なモノアミノシラン前駆体の設計【Powered by NICT】
Design of efficient mono-aminosilane precursors for atomic layer deposition of SiO2 thin films
著者 (4件):
Huang Liang
(The State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, China. huangliang1986@wust.edu.cn)
,
Han Bo
,
Fan Maohong
,
Cheng Hansong
資料名:
RSC Advances (Web)
(RSC Advances (Web))
巻:
7
号:
37
ページ:
22672-22678
発行年:
2017年
JST資料番号:
U7055A
ISSN:
2046-2069
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)