文献
J-GLOBAL ID:201702261649695869
整理番号:17A0214329
2次世代技術ノードのためのIII-V超薄型,FinFET,およびナノワイヤMOSFETの性能予測【Powered by NICT】
Performance projection of III-V ultra-thin-body, FinFET, and nanowire MOSFETs for two next-generation technology nodes
著者 (8件):
Rau M.
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Caruso E.
(DIEGM, Universita ́ degli studi di Udine, Udine, Italy)
,
Lizzit D.
(DIEGM, Universita ́ degli studi di Udine, Udine, Italy)
,
Palestri P.
(DIEGM, Universita ́ degli studi di Udine, Udine, Italy)
,
Esseni D.
(DIEGM, Universita ́ degli studi di Udine, Udine, Italy)
,
Schenk A.
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
,
Selmi L.
(DIEGM, Universita ́ degli studi di Udine, Udine, Italy)
,
Luisier M.
(Integrated Systems Laboratory, ETH Zuerich, Zuerich, Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
30.6.1-30.6.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)