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文献
J-GLOBAL ID：201702261675336322
整理番号：17A1026116
ドーパントが含まれていないCMOSのための電気的に再構成可能なデュアル金属ゲート平面電界効果トランジスタの作製とシミュレーション【Powered by NICT】
Fabrication and simulation of electrically reconfigurable dual metal-gate planar field-effect transistors for dopant-free CMOS
Krauss Tillmann
(Institute for Semiconductor Technology and Nanoelectronics, Technische Universitaet Darmstadt, Germany)
,
Wessely Frank
(Institute for Semiconductor Technology and Nanoelectronics, Technische Universitaet Darmstadt, Germany)
,
Schwalke Udo
(Institute for Semiconductor Technology and Nanoelectronics, Technische Universitaet Darmstadt, Germany)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： DTIS ページ： 1-6 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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