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文献
J-GLOBAL ID：201702261707294968
整理番号：17A0414143
Gb/フリップチップ相互接続EADFBレーザモジュールの運転「S PAM【Powered by NICT】
214-Gb/”s 4-PAM Operation of Flip-Chip Interconnection EADFB Laser Module
Kanazawa Shigeru
(NTT Device Innovation Center, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
,
Yamazaki Hiroshi
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
,
Nakanishi Yasuhiko
(NTT Device Innovation Center, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
,
Ueda Yuta
(NTT Device Innovation Center, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
,
Kobayashi Wataru
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
,
Muramoto Yoshifumi
(NTT Device Innovation Center, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
,
Ishii Hiroyuki
(NTT Device Technology Laboratories, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
,
Sanjoh Hiroaki
(NTT Device Innovation Center, NTT Corporation, Atsugi-shi, Japan)
資料名：
Journal of Lightwave Technology
(Journal of Lightwave Technology)
巻： 35 号： 3 ページ： 418-422 発行年： 2017年
JST資料番号： H0922A ISSN： 0733-8724 CODEN： JLTEDG 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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