文献
J-GLOBAL ID:201702261884432877
整理番号:17A1544642
300°Cでの高エネルギーXeイオンを注入したU_3Si_2における気泡形態【Powered by NICT】
Bubble morphology in U3Si2 implanted by high-energy Xe ions at 300 °C
著者 (7件):
Miao Yinbin
(Argonne National Laboratory, Lemont, IL 60439, United States)
,
Harp Jason
(Idaho National Laboratory, Idaho Falls, ID 83415, United States)
,
Mo Kun
(Argonne National Laboratory, Lemont, IL 60439, United States)
,
Zhu Shaofei
(Argonne National Laboratory, Lemont, IL 60439, United States)
,
Yao Tiankai
(Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, United States)
,
Lian Jie
(Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, United States)
,
Yacout Abdellatif M.
(Argonne National Laboratory, Lemont, IL 60439, United States)
資料名:
Journal of Nuclear Materials
(Journal of Nuclear Materials)
巻:
495
ページ:
146-153
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0148A
ISSN:
0022-3115
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)