文献
J-GLOBAL ID:201702261987127495
整理番号:17A0666066
光照射下でのターンオフアモルファスH fInZnO薄膜トランジスタの不安定性に及ぼすドレインバイアス応力の影響【Powered by NICT】
The Effect of Drain Bias Stress on the Instability of Turned-OFF Amorphous HfInZnO Thin-Film Transistors Under Light Irradiation
著者 (3件):
Kwon Dae Woong
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Kim Jang Hyun
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, South Korea)
,
Park Byung-Gook
(Department of Electrical Engineering and Computer Science, Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul, South Korea)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
1
ページ:
153-158
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)