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J-GLOBAL ID：201702262021009706 整理番号：17A0129122

電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング

Low-damage Recess Etching of AlGaN/GaN Hetero-structure by Electrochemical Process

著者 (3件)：

熊崎祐介

(北大量子集積エレクトロニクス研究セ)

植村圭佑

(北大量子集積エレクトロニクス研究セ)

佐藤威友

(北大量子集積エレクトロニクス研究セ)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 116 号： 357(CPM2016 90-112) ページ： 45-50 発行年： 2016年12月05日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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