文献
J-GLOBAL ID:201702262050285523
整理番号:17A0898350
150°Cで処理した有機/無機混成ゲート絶縁体を用いたフレキシブルSiInZnO薄膜トランジスタ
Flexible SiInZnO thin film transistor with organic/inorganic hybrid gate dielectric processed at 150 °C
著者 (5件):
CHOI J Y
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
KIM S
(Korea Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG B-U
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-Do, KOR)
,
LEE N-E
(Sungkyunkwan Univ., Gyeonggi-Do, KOR)
,
LEE S Y
(Cheongju Univ., Cheongju, KOR)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
31
号:
12
ページ:
125007,1-5
発行年:
2016年12月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)