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文献
J-GLOBAL ID：201702262060553787
整理番号：17A1167593
BaTi_0Cu3O6.95Co_0 0.05O_3膜を用いた柔軟性で,半透明,および無機抵抗メモリ【Powered by NICT】
Flexible, Semitransparent, and Inorganic Resistive Memory based on BaTi0.95Co0.05O3 Film
Yang Yuxi
(School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, P. R. China)
,
Yuan Guoliang
(School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, P. R. China)
,
Yan Zhibo
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
,
Wang Yaojin
(School of Materials Science and Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing, 210094, P. R. China)
,
Lu Xubing
(Institute for Advanced Materials and Guangdong Provincial Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou, 510006, China)
,
Liu Jun-Ming
(National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing, 210093, P. R. China)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 29 号： 26 ページ： ROMBUNNO.201700425 発行年： 2017年
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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