文献
J-GLOBAL ID:201702262105304460
整理番号:17A0953257
ゲートオールアラウンドチャージトラップフラッシュメモリの高度にコンパクトで正確な回路レベルのマクロモデリング
Highly compact and accurate circuit-level macro modeling of gate-all-around charge-trap flash memory
著者 (5件):
KIM Seunghyun
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Sang-Ho
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Young-Goan
(Novachips, Gyeonggi, KOR)
,
CHO Seongjae
(Gachon Univ., Gyeonggi, KOR)
,
PARK Byung-Gook
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
1
ページ:
014302.1-014302.5
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)