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文献
J-GLOBAL ID：201702262166913278
整理番号：17A0451426
Mg_2Sn_0 0.75Ge_0の熱電特性に及ぼす電荷キャリアとドーピングサイトの影響【Powered by NICT】
The effect of charge carrier and doping site on thermoelectric properties of Mg2Sn0.75Ge0.25
Saparamadu Udara
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Mao Jun
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Mao Jun
(Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Dahal Keshab
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Zhang Hao
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Zhang Hao
(Department of Chemistry and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Tian Fei
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Song Shaowei
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Song Shaowei
(Program of Material Science and Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Liu Weishu
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
,
Liu Weishu
(Department of Materials Science & Engineering, South University of Science & Technology of China, Shenzhen, Guangdong 518055, China)
,
Ren Zhifeng
(Department of Physics and TcSUH, University of Houston, Houston, TX 77204, USA)
資料名：
Acta Materialia
(Acta Materialia)
巻： 124 ページ： 528-535 発行年： 2017年
JST資料番号： A0316A ISSN： 1359-6454 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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