文献
J-GLOBAL ID:201702262189615486
整理番号:17A0654502
バイポーラ接合トランジスタ(BJT)の電気的特性に関するX線とγ線照射間の比較研究
A Comparative Study Between X-rays and Gamma-Rays Irradiation on Electrical Characteristics of Bipolar Junction Transistors (BJTs)
著者 (5件):
CHEE Fuei Pien
(Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS)
,
TIWARI Anand Kumar
(Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS)
,
ALIAS Afishah
(Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS)
,
SALLEH Saafie
(Universiti Malaysia Sabah, Sabah, MYS)
,
AMIR Haider F. Abdul
(Universiti Teknologi Mara, Selengor, MYS)
資料名:
Advanced Science Letters
(Advanced Science Letters)
巻:
23
号:
2
ページ:
1416-1421
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
W2378A
ISSN:
1936-6612
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)