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文献
J-GLOBAL ID：201702262205084410
整理番号：17A0599016
InGaZnO薄膜トランジスタの電気特性と信頼性に及ぼす窒素および水素共ドーピングの影響
Effects of Nitrogen and Hydrogen Codoping on the Electrical Performance and Reliability of InGaZnO Thin-Film Transistors
ABLIZ Ablat
(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
,
GAO Qingguo
(Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN)
,
WAN Da
(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
,
LIU Xingqiang
(Hunan Univ., Changsha, CHN)
,
XU Lei
(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
,
LIU Chuansheng
(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
,
JIANG Changzhong
(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
,
LI Xuefei
(Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN)
,
CHEN Huipeng
(Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN)
,
GUO Tailiang
(Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN)
,
LI Jinchai
(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
,
LIAO Lei
(Wuhan Univ., Wuhan, CHN)
,
LIAO Lei
(Hunan Univ., Changsha, CHN)
資料名：
ACS Applied Materials & Interfaces
(ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9 号： 12 ページ： 10798-10804 発行年： 2017年03月29日
JST資料番号： W2329A ISSN： 1944-8244 CODEN： AAMICK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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