文献
J-GLOBAL ID:201702262206173189
整理番号:17A0705542
In_2O_3層とその応用薄膜トランジスタのためのゾル-ゲル前駆体の迅速なレーザ誘起光化学変換【Powered by NICT】
Rapid laser-induced photochemical conversion of sol-gel precursors to In2O3 layers and their application in thin-film transistors
著者 (6件):
Dellis Spilios
(Department of Physics, School of Science and Technology, Nottingham Trent University, Nottingham, NG11 8NS, UK. demosthenes.koutsogeorgis@ntu.ac.uk)
,
Isakov Ivan
,
Kalfagiannis Nikolaos
,
Tetzner Kornelius
,
Anthopoulos Thomas D.
,
Koutsogeorgis Demosthenes C.
資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices
(Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻:
5
号:
15
ページ:
3673-3677
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2383A
ISSN:
2050-7526
CODEN:
JMCCCX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)