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文献
J-GLOBAL ID:201702262206173189   整理番号:17A0705542

In_2O_3層とその応用薄膜トランジスタのためのゾル-ゲル前駆体の迅速なレーザ誘起光化学変換【Powered by NICT】

Rapid laser-induced photochemical conversion of sol-gel precursors to In2O3 layers and their application in thin-film transistors
著者 (6件):
Dellis Spilios
(Department of Physics, School of Science and Technology, Nottingham Trent University, Nottingham, NG11 8NS, UK. demosthenes.koutsogeorgis@ntu.ac.uk)
Isakov Ivan
Kalfagiannis Nikolaos
Tetzner Kornelius
Anthopoulos Thomas D.
Koutsogeorgis Demosthenes C.

資料名:
Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)

巻:号: 15  ページ: 3673-3677  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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