文献
J-GLOBAL ID:201702262393427776
整理番号:17A1627402
同じ基板上に作製した金属-強誘電体-半導体構造の誘電パラメータのダイオードへのダイオード変動【Powered by NICT】
Diode-to-diode variation in dielectric parameters of identically prepared metal-ferroelectric-semiconductor structures
著者 (4件):
Cetinkaya H.G.
(Department of Physics, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey)
,
Yildirim M.
(Department of Mechatronics Engineering, Duezce University, 81620, Duezce, Turkey)
,
Durmus P.
(Department of Physics, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey)
,
Altindal S.
(Department of Physics, Gazi University, 06500, Ankara, Turkey)
資料名:
Journal of Alloys and Compounds
(Journal of Alloys and Compounds)
巻:
728
ページ:
896-901
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0083A
ISSN:
0925-8388
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)