文献
J-GLOBAL ID:201702262394046462
整理番号:17A1261678
Green関数法によるしきい値より下の領域におけるDG-MOSFETの解析的モデリング【Powered by NICT】
Analytical Modeling of DG-MOSFET in Subthreshold Regime by Green’s Function Approach
著者 (3件):
Nandi Ashutosh
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Kurukshetra, Kurukshetra, India)
,
Pandey Nilesh
(Department of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Kurukshetra, Kurukshetra, India)
,
Dasgupta S.
(Department of Electronics and Communication Engineering, IIT Roorkee, Roorkee, India)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
8
ページ:
3056-3062
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)