文献
J-GLOBAL ID:201702262454023649
整理番号:17A1729446
ナノメートルMIFGMOSFETの確率論的モデル【Powered by NICT】
Probabilistic model of nanometer MIFGMOSFET
著者 (2件):
Banchuin Rawid
(Department of Computer Engineering, Siam University, Bangkok, Thailand)
,
Chaisricharoen Roungsan
(School of Information Technology, Mae Fah Luang University, Chiangrai, Thailand)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ECTI-CON
ページ:
781-784
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)