文献
J-GLOBAL ID:201702262528509789
整理番号:17A1355018
亜鉛酸化物薄膜トランジスタに及ぼすHeプラズマ処理の影響【Powered by NICT】
Effects of He plasma treatment on zinc oxide thin film transistors
著者 (5件):
Shinya Shotaro
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan)
,
Kaneko Toyokazu
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan)
,
Koyama Masatoshi
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan)
,
Maemoto Toshihiko
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan)
,
Sasa Shigehiko
(Nanomaterials Microdevices Research Center, Osaka Institute of Technology, 5-16-1, Ohmiya, Asahi-ku, 535-8585, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IMFEDK
ページ:
66-67
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)