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文献
J-GLOBAL ID：201702262615640944
整理番号：17A1544977
インバータ応用における次世代IGBTにより導入されたシュート-スルー現象のモデル化【Powered by NICT】
Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications
Abe S.
(Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
,
Hasegawa K.
(Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
,
Tsukuda M.
(Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)
,
Wada K.
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo Metropolitan University, Tokyo, Japan)
,
Omura I.
(Department of Life Science and System Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu, Japan)
,
Ninomiya T.
(Green Electronics Research Institute, Kitakyushu, Japan)
資料名：
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻： 76-77 ページ： 465-469 発行年： 2017年
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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