文献
J-GLOBAL ID:201702262631099090
整理番号:17A1355019
薄膜トランジスタのためのGa Sn O膜の室温形成【Powered by NICT】
Room-temperature forming of Ga-Sn-O film for thin-film transistors
著者 (4件):
Takagi Ryo
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Umeda Kenta
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Kimura Mutsumi
(Department of Electronics and Informatics, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
,
Matsuda Tokiyoshi
(Innovative Materials and Processing Research Center, Ryukoku University, Seta, Otsu 520-2194, Japan)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IMFEDK
ページ:
68-69
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)