文献
J-GLOBAL ID:201702262838355153
整理番号:17A1767233
FinFETにおけるナノスケール挿入ゲート構造を用いた電気特性の増強
Enhancement of Electrical Characteristics Using a Nanoscale Inserted Gate Structure in FinFETs
著者 (3件):
AHN Joonsung
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
YOO Keon-Ho
(Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
,
KIM Tae Whan
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
10
ページ:
7223-7226
発行年:
2017年10月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)