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文献
J-GLOBAL ID：201702262873111037
整理番号：17A0167812
ハロゲンを含まない溶媒から加工されたnチャネル有機トランジスタ:薄膜形態と電荷輸送に及ぼす溶媒効果【Powered by NICT】
n-Channel Organic Transistors Processed from Halogen-Free Solvents:Solvent Effect on Thin-Film Morphology and Charge Transport
Gao Simin
(Department of Chemistry, College of Science, Shanghai University)
,
Hu Yonghui
(Shanghai Institute of Organic Chemistry, Chinese Academy of Sciences)
,
Duan Zhiming
(Department of Chemistry, College of Science, Shanghai University)
,
Gao Xike
(Shanghai Institute of Organic Chemistry, Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Chinese Journal of Chemistry
(Chinese Journal of Chemistry)
巻： 34 号： 7 ページ： 689-695 発行年： 2016年
JST資料番号： W0337A ISSN： 1001-604X 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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