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文献
J-GLOBAL ID：201702262962992284
整理番号：17A1637986
トンネル電界効果トランジスタにおける低周波雑音【Powered by NICT】
Low frequency noise in tunneling field effect transistors
Bu S.T.
(State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
,
Huang D.M.
(State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
,
Jiao G.F.
(State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
,
Yu H.Y.
(South University of Science and Technology of China, Shenzhen 518055, China)
,
Li Ming-Fu
(State Key Laboratory of ASIC and System, Department of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 137 ページ： 95-101 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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