文献
J-GLOBAL ID:201702263074716137
整理番号:17A1271135
LFN雑音と過渡測定,およびT-CADシミュレーションによるAlGaN/GaNH EMTの理解トラップ位置と影響【Powered by NICT】
Understanding traps locations and impact on AlGaN/GaN HEMT by LFN noise & transient measurements, and T-CAD simulations
著者 (5件):
Tartarin J.G.
(LAAS-CNRS, Toulouse, France)
,
Saugnon D.
(LAAS-CNRS, Toulouse, France)
,
Lazar O.
(LAAS-CNRS, Toulouse, France)
,
Maillot G.
(LAAS-CNRS, Toulouse, France)
,
Bary L.
(LAAS-CNRS, Toulouse, France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICNF
ページ:
1-4
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)