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文献
J-GLOBAL ID：201702263198822207
整理番号：17A1269779
60V電力pLDMOSデバイスのESDロバスト性に対する新規寄生SCRの影響【Powered by NICT】
Novel parasitic-SCR impacts on ESD robustness in the 60 V power pLDMOS devices
Chen Shen-Li
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Yang Chih-Hung
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Yen Chih-Ying
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Chen Kuei-Jyun
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Wu Yi-Cih
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Lin Jia-Ming
(Dept. of Integrated Circuits Design and Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking University, China)
,
Kuo Chun-Ting
(Dept. of Integrated Circuits Design and Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking University, China)
,
Lin Yu-Lin
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Chiu Yi-Hao
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Chao Yi-Hao
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
,
Lo Jen-Hao
(Dept. of Integrated Circuits Design and Engineering, School of Software and Microelectronics, Peking University, China)
,
Chen Hung-Wei
(Department of Electronic Engineering, National United University, Taiwan)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ICCE-Taiwan ページ： 381-382 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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