文献
J-GLOBAL ID:201702263224196398
整理番号:17A1570348
炭化けい素ゲート制御電界放出アレイ【Powered by NICT】
Silicon carbide gate controlled field emission array
著者 (4件):
Ivanov Alexey S.
(School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University “LETI”, 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia)
,
Golubkov Vladimir A.
(School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University “LETI”, 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia)
,
Ilyin Vladimir A.
(School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University “LETI”, 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia)
,
Titov Vladimir N.
(School of Electronics, St. Petersburg Electrotechnical University “LETI”, 5 Prof. Popov Str., St. Petersburg, 197376, Russia)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
IVNC
ページ:
134-135
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)