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文献
J-GLOBAL ID：201702263339673191
整理番号：17A0375110
後セレン化したCu(In,Ga)Se_2薄膜に及ぼす表面改質Mo裏面接触の影響【Powered by NICT】
Influence of surface-modified Mo back contact on post-selenized Cu(In,Ga)Se2 thin films
Huang Yunxiang
(Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
,
Tang Yong
(Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
,
Yuan Wei
(Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
,
Wang Qinghui
(Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
,
Zhang Shiwei
(Key Laboratory of Surface Functional Structure Manufacturing of Guangdong Higher Education Institutes, South China University of Technology, Guangzhou 510640, China)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 57 ページ： 227-232 発行年： 2017年
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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