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文献
J-GLOBAL ID：201702263373093066
整理番号：17A1345356
重イオン照射後の通常オフGaNトランジスタにおけるシングルイベント効果のTCADシミュレーション【Powered by NICT】
TCAD Simulation of the Single Event Effects in Normally-OFF GaN Transistors After Heavy Ion Radiation
Zerarka M.
(Institut de Recherche et Technologie Saint Exupery, Toulouse, France)
,
Austin P.
(UPS and LAAS-CNRS, Universite ́ of Toulouse, Toulouse, France)
,
Bensoussan A.
(Institut de Recherche et Technologie Saint Exupery, Toulouse, France)
,
Morancho F.
(UPS and LAAS-CNRS, Universite ́ of Toulouse, Toulouse, France)
,
Durier A.
(Institut de Recherche et Technologie Saint Exupery, Toulouse, France)
資料名：
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64 号： 8 ページ： 2242-2249 発行年： 2017年
JST資料番号： C0235A ISSN： 0018-9499 CODEN： IETNAE 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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