文献
J-GLOBAL ID:201702263383471656
整理番号:17A0591895
GaNエピタキシャル層における転位の光学的および構造的特性評価
Optical and Structural Characterization of Dislocations in GaN Epitaxial Layers
著者 (3件):
PARK Yong Choon
(Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Kyounggi-do, KOR)
,
KIM Mi-Yang
(Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Kyounggi-do, KOR)
,
YOON Young Joon
(Korea Inst. Ceramic Engineering and Technol., Gyeongsangnam-do, KOR)
資料名:
Journal of Nanoscience and Nanotechnology
(Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻:
17
号:
6
ページ:
4262-4266
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
W1351A
ISSN:
1533-4880
CODEN:
JNNOAR
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)